硅功率晶体管10安培80伏， 36瓦 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 80 VOLTS, 36 WATTS
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220FP
得捷:
TRANS NPN 80V 10A TO220FP
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 10A 80V 50W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.63 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.24 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJF44H11 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJF44H11G 安森美 | 类似代替 | MJF44H11和MJF44H11G的区别 |