MMBTA20LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBTA20LT1G概述

SOT-23 NPN 40V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 100mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

MMBTA20LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @5mA, 10V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBTA20LT1G

型号： MMBTA20LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：SOT-23 NPN 40V 0.1A

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替代型号MMBTA20LT1G

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