MMJT9435T3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMJT9435T3概述

双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon

- 双极 BJT - 单 PNP 110MHz 表面贴装型 SOT-223

得捷:
TRANS PNP 30V 3A SOT223

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
TRANS PNP 30V 3A SOT-223

MMJT9435T3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 125 @800mA, 1V

额定功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MMJT9435T3

描述：双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon

替代型号MMJT9435T3