MPS6601参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS6601概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 1 A 100MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS NPN 25V 1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

MPS6601中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 1.00 A

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MPS6601

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号MPS6601