MJ14001G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJ14001G概述

高？当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 60A 300W Through Hole TO-3

得捷:
TRANS PNP 60V 60A TO204

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 60A 3-Pin2+Tab TO-204 Tray

MJ14001G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -60.0 A

极性 PNP

耗散功率 300 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 60A

最小电流放大倍数hFE 15 @50A, 3V

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MJ14001G

描述：高？当前互补硅功率晶体管 High?Current Complementary Silicon Power Transistors

替代型号MJ14001G