MPS6717G

MPS6717G图片1
MPS6717G图片2
MPS6717G图片3
MPS6717G图片4
MPS6717G概述

一瓦的放大器晶体管NPN硅 One Watt Amplifier Transistor NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN - 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


MPS6717G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @250mA, 1V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MPS6717G
型号: MPS6717G
描述:一瓦的放大器晶体管NPN硅 One Watt Amplifier Transistor NPN Silicon
替代型号MPS6717G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MPS6717G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC849CLT1G

安森美

功能相似

MPS6717G和BC849CLT1G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司