高电压晶体管 High Voltage Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP 200 V 500 mA 50MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
TRANS PNP 200V 0.5A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
High Voltage Transistors
额定电压DC -200 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA93RLRMG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA93 安森美 | 类似代替 | MPSA93RLRMG和MPSA93的区别 |
MPSA93RLRM 安森美 | 功能相似 | MPSA93RLRMG和MPSA93RLRM的区别 |