MSD42SWT1

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MSD42SWT1概述

NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN 300 V 150 mA - 150 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)


得捷:
TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


MSD42SWT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 150 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MSD42SWT1
型号: MSD42SWT1
描述:NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor
替代型号MSD42SWT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MSD42SWT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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MSD42SWT1G

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完全替代

MSD42SWT1和MSD42SWT1G的区别

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