MMBTA56WT1

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MMBTA56WT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBTA56WT1
型号: MMBTA56WT1
描述:驱动晶体管PNP硅 Driver Transistor PNP Silicon
替代型号MMBTA56WT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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