MPS6602G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS6602G概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 40 V 1 A 100MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 40V 1A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1A 30V NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

MPS6602G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： MPS6602G

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号MPS6602G