MPS6601G

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MPS6601G概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
TRANS NPN 25V 1A TO92


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1A 25V NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


MPS6601G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 1.00 A

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MPS6601G
型号: MPS6601G
描述:放大器晶体管 Amplifier Transistors
替代型号MPS6601G
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