开关晶体管（ PNP硅） Switching TransistorPNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.9A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
Switching TransistorPNP Silicon
额定电压DC -40.0 V
额定电流 600 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT4403LT3 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT4403LT3G 安森美 | 完全替代 | MMBT4403LT3和MMBT4403LT3G的区别 |
MMBT4403LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT4403LT3和MMBT4403LT1G的区别 |
MMBT2907 安森美 | 类似代替 | MMBT4403LT3和MMBT2907的区别 |