双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 200V NPN
Bipolar BJT Transistor NPN 200V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 200V 0.5A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 200V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC 200 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MPSA43G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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2N6517BU 安森美 | 类似代替 | MPSA43G和2N6517BU的区别 |
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