MPSA70RLRMG参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSA70RLRMG概述

晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 100mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 40V 0.1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo

Win Source:
Amplifier Transistor PNP Silicon

MPSA70RLRMG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @5mA, 10V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MPSA70RLRMG

型号： MPSA70RLRMG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP Silicon

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替代型号MPSA70RLRMG

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MPSA28 NTE Electronics	功能相似	MPSA70RLRMG和MPSA28的区别
MPS-A28 罗姆半导体	功能相似	MPSA70RLRMG和MPS-A28的区别

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