MMBT3904WT1

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MMBT3904WT1概述

通用晶体管 General Purpose Transistors

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications.

• Pb−Free Packages are Available


得捷:
TRANS NPN 40V 200MA SOT323


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 60V NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SC-70 T/R


MMBT3904WT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

集电极击穿电压 60.0 V min

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT3904WT1
型号: MMBT3904WT1
描述:通用晶体管 General Purpose Transistors
替代型号MMBT3904WT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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