MMBTA42_D87Z参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MMBTA42_D87Z图片1

MMBTA42_D87Z图片2

MMBTA42_D87Z图片3

MMBTA42_D87Z图片4

MMBTA42_D87Z图片5

MMBTA42_D87Z图片6

MMBTA42_D87Z中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 240 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBTA42_D87Z

型号： MMBTA42_D87Z

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor High Voltage

替代型号MMBTA42_D87Z

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMBTA42_D87Z

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MMBTA42

飞兆/仙童

完全替代

MMBTA42_D87Z和MMBTA42的区别

KST42MTF

飞兆/仙童

类似代替

MMBTA42_D87Z和KST42MTF的区别