MPS4126RLRA概述
晶体管放大器PNP硅 Amplifier Transistor PNP Silicon
Bipolar BJT Transistor PNP 25V 200mA 170MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 25V 0.2A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 625000mW 3-Pin TO-92 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
MPS4126RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 170 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
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