MPS2907ARLRM参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS2907ARLRM概述

通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo

Win Source:
TRANS PNP 60V 0.6A TO92 / Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226

MPS2907ARLRM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MPS2907ARLRM

型号： MPS2907ARLRM

描述：通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

替代型号MPS2907ARLRM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPS2907ARLRM ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
KSP2907ATA 飞兆/仙童	类似代替	MPS2907ARLRM和KSP2907ATA的区别
KSP2907ATF 飞兆/仙童	类似代替	MPS2907ARLRM和KSP2907ATF的区别
KSP2907ACTA 飞兆/仙童	类似代替	MPS2907ARLRM和KSP2907ACTA的区别