MPS750G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS750G概述

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 40 V 2 A 75MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 40V 2A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3-Pin TO-92 Box

MPS750G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MPS750G

描述：放大器晶体管 Amplifier Transistors

替代型号MPS750G