8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
- 双极 BJT - 单 PNP 300 V 8 A 80 W 通孔 TO-220
得捷:
TRANS PNP 300V 8A TO220
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC -300 V
额定电流 -8.00 A
极性 PNP
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE5850 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE5850G 安森美 | 类似代替 | MJE5850和MJE5850G的区别 |