MPSW3725参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSW3725概述

NPN晶体管 NPN Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 40 V 1.2 A 250MHz 1 W Through Hole TO-226-3

得捷:
TRANS NPN 40V 1.2A TO226-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 1.2A 3-Pin TO-226 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 1.2A 3-Pin TO-226 Bulk

MPSW3725中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 1.20 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1.2A

最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MPSW3725

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN晶体管 NPN Transistor