放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 25V 200mA 170MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 25V 0.2A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 30V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC 25.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS4124G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPS4124RLRAG 安森美 | 完全替代 | MPS4124G和MPS4124RLRAG的区别 |
MPS4124 安森美 | 完全替代 | MPS4124G和MPS4124的区别 |
MPS4124RLRA 安森美 | 完全替代 | MPS4124G和MPS4124RLRA的区别 |