



16互补硅功率晶体管250 V , 200瓦 16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
MJW21193 PNP
NPN
The MJW21193 and MJW21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
•Total Harmonic Distortion Characterized
•High DC Current Gain −hFE= 20 Min @ IC= 8 Adc
•Excellent Gain Linearity
•High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
额定电压DC 250 V
额定电流 16.0 A
极性 NPN
耗散功率 200 W
增益频宽积 4 MHz
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 20 @8A, 5V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.08 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJW21194 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJW21194G 安森美 | 类似代替 | MJW21194和MJW21194G的区别 |
MJW21192 安森美 | 功能相似 | MJW21194和MJW21192的区别 |