MPSW06参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSW06概述

NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 50MHz 1W Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-226

MPSW06中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

耗散功率 1 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.93 mm

高度 7.87 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MPSW06

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

替代型号MPSW06