MMBT2907AWT1

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MMBT2907AWT1概述

通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS SS GP PNP 60V SOT323


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


MMBT2907AWT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买MMBT2907AWT1
型号: MMBT2907AWT1
描述:通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon
替代型号MMBT2907AWT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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