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MPSA63G概述

达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon

Darlington Transistors PNP Silicon

Features

•Pb−Free Packages are Available

得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92

艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box

Win Source:
Darlington Transistors PNP Silicon

MPSA63G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MPSA63G

描述：达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon

替代型号MPSA63G