MJD3055

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MJD3055概述

互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

MJD2955 PNP

NPN

SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “−1” Suffix

• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055

• DC Current Gain Specified to 10 Amperes

• High Current Gain−Bandwidth Product − fT = 2.0 MHz Min @ IC= 500 mAdc

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V

              Machine Model, C 400 V

• Pb−Free Packages are Available

MJD3055中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

增益频宽积 2 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD3055
型号: MJD3055
描述:互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
替代型号MJD3055
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD3055

ON Semiconductor 安森美

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