MPSW63参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSW63概述

一瓦达林顿晶体管PNP硅 One Watt Darlington Transistors PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226

得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92

艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box

MPSW63中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -500 mA

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MPSW63

型号： MPSW63

描述：一瓦达林顿晶体管PNP硅 One Watt Darlington Transistors PNP Silicon

替代型号MPSW63