MMBD352WT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MMBD352WT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 7.00 V

额定电流 80.0 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBD352WT1

型号： MMBD352WT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双肖特基势垒二极管 Dual Shottky Barrier Diode

替代型号MMBD352WT1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMBD352WT1

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

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安森美

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