MBD770DWT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MBD770DWT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 90.0 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-88

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-88

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MBD770DWT1

型号： MBD770DWT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes

替代型号MBD770DWT1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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当前型号

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