MUN5316DW1T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5316DW1T1概述

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

MUN5316DW1T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

耗散功率 187 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-88-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-88-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MUN5316DW1T1

描述：双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

替代型号MUN5316DW1T1