偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
- 双极 BJT - 单，预偏置
得捷:
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 246 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2233LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2233LT1G 安森美 | 类似代替 | MMUN2233LT1和MMUN2233LT1G的区别 |
SMMUN2233LT1 安森美 | 类似代替 | MMUN2233LT1和SMMUN2233LT1的区别 |
FJN3314RTA 飞兆/仙童 | 功能相似 | MMUN2233LT1和FJN3314RTA的区别 |