MUN5216T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 增益160-350 SOT-323/SC-70 marking/标记 8F
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 160-350 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.3W/300mW Description & Applications| Features NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • The SC−70/SOT−323 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull−winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. • Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 特性 NPN硅表面贴装 具有单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •SC-70/SOT-323包装可以使用波或回流焊接。 修改后的鸥翅引线过程中吸收热应力 除焊接的模具损坏的可能性。 •可于8 mm压纹带和卷轴。使用设备号编排7 inch/3000的单位卷轴。 •无铅包可用
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 202 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MUN5216T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5216T1G 安森美 | 类似代替 | MUN5216T1和MUN5216T1G的区别 |
PDTC143ZU,115 安世 | 功能相似 | MUN5216T1和PDTC143ZU,115的区别 |
PDTC143EU,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5216T1和PDTC143EU,115的区别 |