MUN5333DW1T1

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MUN5333DW1T1概述

MUN5333DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记334 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 0.1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •Dual Bias Resistor Transistors •NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel •These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •双偏置电阻 •NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数 •8毫米,7 inch/3000单位带和卷轴 •这些器件是无铅,无卤/ BFR免费,并符合RoHS标准

MUN5333DW1T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

耗散功率 385 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MUN5333DW1T1
型号: MUN5333DW1T1
描述:MUN5333DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记334 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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