MUN5333DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记334 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 0.1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •Dual Bias Resistor Transistors •NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel •These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •双偏置电阻 •NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数 •8毫米,7 inch/3000单位带和卷轴 •这些器件是无铅,无卤/ BFR免费,并符合RoHS标准
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN+PNP
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
高度 0.9 mm
封装 SOT-363
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MUN5333DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5333DW1T1G 安森美 | 类似代替 | MUN5333DW1T1和MUN5333DW1T1G的区别 |
PUMD13,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5333DW1T1和PUMD13,115的区别 |
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