MUN5330DW1T1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MUN5330DW1T1图片1

MUN5330DW1T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5330DW1T1

型号： MUN5330DW1T1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

替代型号MUN5330DW1T1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MUN5330DW1T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MUN5330DW1T1G

安森美

功能相似

MUN5330DW1T1和MUN5330DW1T1G的区别