双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 Dual N-Channel
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
高度 0.9 mm
封装 SOT-363
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5212DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5212DW1T1G 安森美 | 类似代替 | MUN5212DW1T1和MUN5212DW1T1G的区别 |
MUN5213T1G 安森美 | 功能相似 | MUN5212DW1T1和MUN5213T1G的区别 |