MUN5131T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5131T1概述

PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R

MUN5131T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MUN5131T1

型号： MUN5131T1

描述：PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

替代型号MUN5131T1