MUN5135T1

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MUN5135T1概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


MUN5135T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: MUN5135T1
描述:偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
替代型号MUN5135T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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