PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 246 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 3 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 3
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2130LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2130LT1G 安森美 | 完全替代 | MMUN2130LT1和MMUN2130LT1G的区别 |
MMUN2130LT3 安森美 | 功能相似 | MMUN2130LT1和MMUN2130LT3的区别 |