MUN5113T1 偏置电阻PNP -50V -0.1A R1=R2=47KΩ HEF=80~140 代码 6C
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 80~140 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 耗散功率Pc Power dissipation |
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 202 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5113T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5114T1 安森美 | 完全替代 | MUN5113T1和MUN5114T1的区别 |
MUN5133T1 安森美 | 完全替代 | MUN5113T1和MUN5133T1的区别 |
MUN5113T3 安森美 | 完全替代 | MUN5113T1和MUN5113T3的区别 |