PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | -60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | -0.6A/-600MA 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 200MHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 50~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 350MW/0.35W Description & Applications | PNP Epitaxial Silicon Transistor. 描述与应用 | PNP外延硅。
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 350 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210075
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT2907AK Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KST2907AMTF 飞兆/仙童 | 完全替代 | MMBT2907AK和KST2907AMTF的区别 |
MMBT2907A-7-F 美台 | 功能相似 | MMBT2907AK和MMBT2907A-7-F的区别 |
MMBT2907A NTE Electronics | 功能相似 | MMBT2907AK和MMBT2907A的区别 |