MJE18004D2G

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MJE18004D2G概述

TO-220AB NPN 450V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 450V 5A 13MHz 75W Through Hole TO-220AB


得捷:
TRANS NPN 450V 5A TO-220AB


艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


MJE18004D2G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 450 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 450 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 6 @2A, 1V

额定功率Max 75 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE18004D2G
型号: MJE18004D2G
描述:TO-220AB NPN 450V 5A
替代型号MJE18004D2G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE18004D2G

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

KSC5338DTU

飞兆/仙童

完全替代

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