MMBTA93LT1G

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MMBTA93LT1G概述

高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon

High Voltage Transistors PNP Silicon

Features

•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant


得捷:
TRANS PNP 200V 0.5A SOT23-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


MMBTA93LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBTA93LT1G
型号: MMBTA93LT1G
描述:高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon
替代型号MMBTA93LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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