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MPSW92概述

一瓦高压晶体管（ PNP硅） One Watt High Voltage TransistorPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 500mA 50MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226

得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A TO92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R

MPSW92中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 1.00 W

集电极击穿电压 -300 V min

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MPSW92

描述：一瓦高压晶体管（ PNP硅） One Watt High Voltage TransistorPNP Silicon

替代型号MPSW92