MPSA18G

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MPSA18G概述

低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 200 mA 160MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226


得捷:
TRANS NPN 45V 0.2A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 45V NPN Low Noise


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk


MPSA18G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 160 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 500 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA18G
型号: MPSA18G
描述:低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon
替代型号MPSA18G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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