双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 200MA/0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 300MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 100~300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.15W 描述与应用 Description & Applications | 双NPN 技术文档PDF下载 | 在线阅读
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541210075
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MBT3904DW1T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBT3904DW1T1G 安森美 | 完全替代 | MBT3904DW1T1和MBT3904DW1T1G的区别 |
MBT3904DW1T3G 安森美 | 完全替代 | MBT3904DW1T1和MBT3904DW1T3G的区别 |
SMBT3904S 英飞凌 | 类似代替 | MBT3904DW1T1和SMBT3904S的区别 |