互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
- 双极 BJT - 单 PNP 40MHz 表面贴装型 D²PAK
得捷:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 50 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 800
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJB45H11 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJB45H11T4 安森美 | 完全替代 | MJB45H11和MJB45H11T4的区别 |
MJB45H11T4G 安森美 | 类似代替 | MJB45H11和MJB45H11T4G的区别 |
MJB45H11G 安森美 | 类似代替 | MJB45H11和MJB45H11G的区别 |