MPS3563RLRA参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS3563RLRA概述

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

Bipolar BJT Transistor

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 50mA 12V NPN

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R

MPS3563RLRA中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350 mW

增益频宽积 1.5 GHz

最小电流放大倍数hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MPS3563RLRA

型号： MPS3563RLRA

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

替代型号MPS3563RLRA

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPS3563RLRA ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BFS17P 英飞凌	类似代替	MPS3563RLRA和BFS17P的区别
MMBT918 NTE Electronics	功能相似	MPS3563RLRA和MMBT918的区别
BFS17 Vishay Intertechnology	功能相似	MPS3563RLRA和BFS17的区别