放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 350mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 15V 0.05A TO92
艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 350mW 3-Pin TO-92 Box
额定电压DC 15.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
输入电容 2pF Max
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS918 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT918LT1G 安森美 | 类似代替 | MPS918和MMBT918LT1G的区别 |
BFS17P 英飞凌 | 类似代替 | MPS918和BFS17P的区别 |
MMBT918 NTE Electronics | 功能相似 | MPS918和MMBT918的区别 |