200V,32A,N沟道功率MOSFET
通孔 N 通道 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
贸泽:
MOSFET 200V 32A N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail
Allied Electronics:
TRIAC, Power MOSFET; TO-247; 600 V; N; 200 VDC; 200 VDC; 50 mA Max.; 32 A
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin 3+Tab TO-247 Rail
力源芯城:
200V,32A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
额定电压DC 200 V
额定电流 32.0 A
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
输入电容 3600pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
下降时间 91 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.08 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MTW32N20E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MTW32N20EG 安森美 | 完全替代 | MTW32N20E和MTW32N20EG的区别 |
IRFP250NPBF 英飞凌 | 功能相似 | MTW32N20E和IRFP250NPBF的区别 |
STW40NF20 意法半导体 | 功能相似 | MTW32N20E和STW40NF20的区别 |